|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Розрахунок резонансного підсилювача потужності 1. Визначимо ємність активної області колекторного переходу. Ска=Ск/(1+Кс) = ()=1,36пФ 2. Визначимо ємність пасивної області колекторного переходу з врахуванням ємності між виводами колектора і бази. Скп=Ск - Ска = (4,1-1,36)*10-12=2,74пФ 3. Так як tк=r¢б*Ска, знаходимо омічний опір бази. r¢===16,09 Ом 4. Знаходимо омічний опір емітера r¢===0,766Ом Вибір кута відсікання Оцінемо можливість роботи транзистора з нульовим зміщенням:1. Перша гармоніка колекторного струму в нульовому наближені.Ік0 ==0,25*0,3*18(1 - )=0,217АХ===0,296 2. Параметри нелінійної моделі транзистора при струмі ік ср=І0к1 а) Низькочастотне значення крутизни: Sn= = =2,26А/В б) Опір втрат рекомбінації rb=b0/Sn =20/2,26=8,85Ом в) Низькочастотний коефіцієнт передачі по переходу Кп=(1+Sn*r¢є+r¢б/rb)-1=(1+2,26*0,766+16,09/8,85)-1=0,219 г) Крутизна статичних характеристик колекторного струму S=Kn*Sn=2,26*0,219=0,49А/В д) Параметри інерційності ns=f*S*r¢б/fт==3,94 nb===10 nє=2pf*r¢б*Се=2*3,14*107*16,09*20-12=0,29 3.Обчислюємо узагальнений параметр інерційності та коефіцієнти розкладання а===0,461 b1-1(q;а)===0,0101 По графіку залежності коефіцієнтів розкладання b1-1 від кута відсікання при різних параметрах а знаходимо кут відсікання q =102° При цьому куті відсікання g1=0,631, a1=0,522, g1=1,47 Висота імпульсу та перша гармоніка струму при q =102° При цьому куті відсікання cos102°= - 0,207 4. Висота імпульса та перша гармоніка струму при q =102° Z=0,5*()=0,5*()=0.089 Ік мах=Sk*Ek*Z=0,3*18*0,089=0,48A Ік1=a1*Ік мах=0,522*0,48=0,269А Як бачимо І0к1»Ік, тому розрахунок продовжуємо 5. Максимум оберненої напруги на ємітерному переході. Un max= ==1,087В Оскільки виконується умова Un max< Uєб max, 1,087< 5 Розрахунок колекторного ланцюга6. Коливна напруга на колекторі Uкє===12,16В Ек+Uке<Uке мах, 18*12,16<135 7. Визначимо провідність навантаження Gk===22,12мСм 8. Постійна складова колекторного струму і потужність яка використовується від джерела живлення по колекторному ланцюгу. Ік0===0,18А Р0=Іко*Ек=0,18*18=3,24 Вт 9. Потужність, яка розсіюється на конденсаторі Рр.к =Р0 – Р1=3,24-1,8=1,44 Вт 10. Електронний ККД колекторного ланцюга h= ==0,66 З метою перевірки правильності розрахунків знаходимо коефіцієнт використання колекторної напруги та електронний ККД колекторного ланцюга. Для цього знайдемо коефіцієнт використання колекторної напруги x x=1 – Z 1 – 0,089=0,911 hе=0,5g1x=0,5*1,47*0,911=0,669 Як ми бачимо hе і h майже однакові 11.Знаходимо Н – параметриа) Вхідний опір в режимі малого сигналу, його дійсна та уявна частини: dН11в===0,239 Н11в=r¢б+ r¢е+wт Lе+dН11в=0,766+16,09+20*106*3*10-9+0,239=17,13 Ом dН11м=dН11в*nb=0,239*10=2,39 dН11м=wт*Lе - +dН11м=2*3,14*50*106*3*10-9 – - = - 343, Ом б) дійсна та уявна частини коефіцієнта оберненого зв`язку по напрузі в режимі малого сигналу Н12в= - w*Ск*Н11м= - 2*3,14*50*106*4*10-12*(- 343) = 0,43 Н12м=w*Ск(Н11в - rб), де rб1= rб1==0,23 Ом Н12м=2*3,14*107*4*10-12(17,13-0,23) =0,0041 в) знаходимо фазу та модуль коефіцієнта оберненого зв`язку j12=arctg() =arctg() =0°59¢ |H12|= = =0,241 г) знаходимо фазу та модуль коефіцієнта передачі j12= - arctgnb= - arctg10= - 84°17¢ |H21|=n1*fT /f= =0,244 д) дійсна та уявна частини вихідної повної провідності Н22в=wт * Ск * g1=2*3,14*20*106*4*10-12*0,611=319 мкСм Н22м= = =3,18*10-5 См 12. Складові добутку Н12 Н21: а) модуль добутку Н12 Н21: | Н12 Н21|=0,244*0,241=0,0588 б) фаза добутку Н12 Н21: j= j12+j21=0°59¢-84°17¢= - 83°36¢ в) дійсна та уявна частини добутку Н12 Н21: (Н12 Н21)в = | Н12 Н21|*cosj=0,0969*cos(-81°02¢) =0,015 (Н12 Н21)m=| Н12 Н21|*sinj=0,0969*sin(-81°02¢) = - 0,0953 13. Складова вихідного опору і уявна частина провідності навантаження. Rвх= Н11в - =17,13 - =16,42 Ом Хвн = Н11м - = - 291 - =-286,75 14. Коефіцієнт підсилення потужності Кр= = =4,31 15. Потужність збудження і амплітуда вхідного струму: Рб1=Р1/Кр=1,8/4,31=0,418 Вт Іб1= = =0,226 А 16. Сумарна потужність розсіювання та загальний ККД каскаду: Рроз=Рр.к+Рб1=1,44+0,418=1,858 Вт Рроз<Рк мах=; 1,858 < =5 Вт hзаг= ==0,53hт Коефіцієнт корисної дії трансформатора знаходиться при розрахунку ланцюга зв`язку з навантаженням. Колекторний ланцюг зв`язку. Розрахуємо П – трансформатор з додатковим фільтром (мал. 1) R1=1/Gk=1/22,12*10-3=45,2 Ом R2=Rф = 200 Ом Df=0,4МГц Qå=Q1+Q2+Qф»f/(2Df)»=25 Нехай Q1=6. Тоді Q2===12,75 Qф= Q å - (Q1+ Q2)=25 – (12,75+6)=6,25 С3= ==2113 Пф С4===1015 Пф L2===3,64*10-7 Гн Lф===1,2*10-7 Гн Сф===2309,4 пФ При Qx.x=100 ККД трансформатора hт===0,8 Базовий ланцюг зв`язку. Вякості вхідного ланцюга зв`язку візьмемо Т – трансформатор (мал. 2) R1=Rвих=90 Ом R2=Rвх=16,42 Ом Для того, щоб забезпечити режим збудження транзистора від джерела гармонічного струму необхідно, щоб виконувалась умова Q22> - 1; Q22 >5,48 Тому беремо Q2=15 Q1===6,34 L1===3,92 мкГн С1===27,9 пФ С2===37,16 пФ 19. Розрахунок додаткової індуктивності в колекторному та базовому ланцюгах. Lдр1= ==14,3 мкГн Lдр2===7,1 мкГн СпецифікаціяКонденсатори
Котушки індуктивності
Дроселі
Транзистор
ВисновкиВ даній курсовій роботі було розраховано резонансний підсилювач потужності на транзисторі. За значенням граничної частоти та максимальної потужності було обрано транзистор КТ-805Б. Була застосована Н - схема резонансного підсилювача потужності зі спільним емітером та паралельним живленням колекторного кола. В ході розрахунків отримано: -загальний коефіціэнт корисної дії каскаду hзаг=0,42 -коефіцієнт підсилення потужності Кр=4,31 -кут відсікання колекторного струму Ðq=102° Розрахований резонансний підсилювач потужності працює у граничному режимі роботи. Отже, будуть реалізовані найкращі енергетичні показники. В якості базового та колекторного кіл було обрано n-транзистори. При розрахунку отримали номінали елементів, що входять до складу резонансного підсилювача потужності. Вони представлені в специфікаціі. Розрахована схема має достатній коефіцієнт підсилення та корисної дії і являється високочастотною, що визначає її використання у військовій техніці зв’язку. Література1. Терещук М.Т. Полупроводниковые приемо-уселительные устройства. – К.: научная мысль, 1989,- 672с. 2. лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам.-К.: Научная мысль, 1984,- 424с. 3. Богачев В.М., Никифоров В.В. Транзисторные уселители мощности.-М.: Энергия, 1978,-344с. 4. Теплов Н.Л. Нелинейные радиотехнические устройства.-Л.:ВКАС,1972,-353с. 5. Хопов В.Б. и др. Военная техника радиосвязи.-М.: Военное издательство,1982,-440с. |